SiC ile Güçlendirilen AZ91 Kompozitlerinin Farklı Yükler Altında Aşınma Davranışının İncelenmesi


Abstract views: 35 / PDF downloads: 71

Authors

  • Muhammet Yüce Makine Mühendisliği Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Türkiye
  • Mevlüt Makine Mühendisliği Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Türkiye

DOI:

https://doi.org/10.59287/icpis.840

Keywords:

Magnezyum, Toz metalürjisi, Aşınma, Oksidasyon delaminasyon aşınması, Adezif aşınma, Abrasif aşınma

Abstract

Bu çalışmada magnezyum AZ91 alaşım tozuna silisyum karbür (SiC) takviyesi %1, %3, %5, %10, %20, %30, oranında eklenerek toz metalürjisi yöntemiyle AZ91 matrisine sahip kompozit üretilmiştir. Üretim esnasında geleneksel öğütme yöntemi kullanılmaksızın mekanik karıştırma ile tozlar etanol içerisinde karıştırılmış ve kurutulmuştur. Numuneler 600 MPa şekillendirilmiş ve 520 oC argon atmosferinde 60 dakika sinterlenmiştir. Üretilen numunelerin aşınma performansları incelenmiştir. Farklı oranlarda silisyum karbür katkılı magnezyum AZ91 alaşım kompozitlerinin 5 ve 10 newton yüklerde ve 200 dev/dk dönüş hızında aşınma testleri gerçekleştirildi. Aşınma testlerinde karşı disk olarak 50 HRC sertliğe sahip AISI304 paslanmaz çelik disk kullanılmıştır. Aşınma yükü 5 newton iken katkı oranın artmasıyla aşınma performansının doğrusal olarak arttığı gözlemlenmiştir. Aşınma yükünün 10 newton olmasıyla katkı oranı ile aşınma performansı arasında doğrusal bir ilişki kurulamamış ve bu durumun nelerden kaynaklanabileceği tartışılmıştır. Aşınma yükünün 5 newton olduğu çalışmada, en iyi aşınma direncini %30 SiC katkılı numune olurken, en kötü aşınma direncini %1 SiC katkılı numune sağlamıştır. 10 newtonluk yüklemede ise en iyi aşınma direnci %30 SiC katkılı numune, en kötü aşınma direncini %5 SiC katkılı numune vermiştir.

Downloads

Published

2023-06-13

How to Cite

Yüce, M., & Mevlüt. (2023). SiC ile Güçlendirilen AZ91 Kompozitlerinin Farklı Yükler Altında Aşınma Davranışının İncelenmesi. International Conference on Pioneer and Innovative Studies, 1, 255–260. https://doi.org/10.59287/icpis.840