Bir Au/MoOx/n-Si çoklu eklem yapının yüksek frekanslarda kapasitansgerilim karakteristikleri

Abstract

– Bu çalışmada, n-tipi Si yarıiletken yapı üzerine MoOx’in termal yöntemle fabrikasyon işlemi yapılan bir Au/MoOx/n-Si Schottky eklem yapının elektronik yapısal özellikleri; oda sıcaklığında, yüksek frekanslarda ve -10 V ve 10 V gerilim aralığında uygulanan gerilimin ve frekansın fonksiyonu olarak kapasitans-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) ölçümleriyle araştırıldı. Kapasitansın ve kondüktans değerlerinin değişimlerinden arayüzeyin ve arayüzey yapısının sonuçlar üzerinde etkili olduğu görüldü. Yüksek frekanslarda kapasitans değerleri negatif olurken azalan frekansla birlikte kapasitans değerleri negatif olarak arttı, kondüktans değerleri de artış gösterdi. Sonuçta, deplasyon bölgesinde bulunan yüklerin ve arayüzey yüklerinin toplam eklem kapasitansını frekansın ve gerilimin fonksiyonu olarak değiştirebildikleri sonucuna ulaşıldı.